Vishay 晶体管 - IGBT

查看所有IGBT
可享批量折扣

小计 200 件 (以卷装提供)*

¥3,306.00

(不含税)

¥3,736.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 5 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
200 - 395RMB16.53
400 +RMB16.034

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
180-8025P
制造商零件编号:
SUM70060E-GE3
制造商:
Vishay
COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•交流 / 直流开关模式电源
•电池管理
•直流 / 交流变频器
•直流 / 直流转换器
• 照明
•电机驱动开关
•同步整流器
• UPS（不间断电源）

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。