Vishay N型沟道 IGBT, 3引脚, TO-263, 表面安装

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180-8025P
制造商零件编号:
SUM70060E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

IGBT

最大功耗 Pd

375W

包装类型

TO-263

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

3

最低工作温度

-55°C

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

175°C

系列

ThunderFET

标准/认证

RoHS

长度

15.875mm

汽车标准

否

额定能量

125mJ

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 5.6mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 375W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。

特点和优势


•无卤素和无铅 (Pb) 组件

•工作温度范围 -55°C 至 175°C

• TrenchFET 功率 MOSFET

应用


•交流 / 直流开关模式电源

•电池管理

•直流 / 交流变频器

•直流 / 直流转换器

• 照明

•电机驱动开关

•同步整流器

• UPS（不间断电源）

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