onsemi IGBT, Ic 150 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247, 通孔安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 181-1889P
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SHDTL4
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 113 - 224 | RMB48.90 |
| 225 + | RMB47.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-1889P
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SHDTL4
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 150 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 455 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 栅极电容 | 3710pF | |
| 额定能量 | 160mJ | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 150 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 455 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
栅极电容 3710pF | ||
额定能量 160mJ | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Fairchild 的新系列 Field Stop 第 3 代 IGBT 采用创新的 Field Stop IGBT 技术，为低传导和切换损耗至关重要的太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS 和 PFC 应用提供最佳性能。
最大接点温度：TJ = 175 °C
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE (sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 75 A
所有零件均通过 ILM(1) 测试
高输入阻抗
快速切换
严格的参数分布
正温度系数易于并行操作
高电流容量
低饱和电压：VCE (sat) = 1.6 V（典型值）@ IC = 75 A
所有零件均通过 ILM(1) 测试
高输入阻抗
快速切换
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