onsemi P沟道IGBT, Ic 200 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247, 通孔安装, 1MHz
- RS 库存编号:
- 181-1929P
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SQDNL4
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 113 - 224 | RMB59.23 |
| 225 + | RMB57.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-1929P
- 制造商零件编号:
- FGH75T65SQDNL4
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 200 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 375 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | P | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.8 x 5.2 x 22.74mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 栅极电容 | 5100pF | |
| 额定能量 | 160mJ | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 200 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 375 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 P | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1MHz | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.8 x 5.2 x 22.74mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
栅极电容 5100pF | ||
额定能量 160mJ | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这款绝缘栅级双极晶体管 (IGBT) 具有坚固且经济高效的 Field Stop IV Trench 结构，可在苛刻的切换应用中提供卓越的性能，同时提供低通态状态电压和最小的切换损耗。此外，这款新设备采用 TO-247-4L 封装，与标准 TO-247-3L 封装相比可显著降低 EON 损耗。IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该设备内置了一个柔软且快速的共封装续流二极管，具有低正向电压。
极为高效的沟道，采用场截止技术
TJmax = 175°C
更好的栅极控制，降低切换损耗
独立发射器驱动引脚
TO-247-4L，实现最小的 EON 损耗
专为高速切换而优化
它们是无铅器件
光伏逆变器
不间断电源变频器
中性点钳位拓扑
TJmax = 175°C
更好的栅极控制，降低切换损耗
独立发射器驱动引脚
TO-247-4L，实现最小的 EON 损耗
专为高速切换而优化
它们是无铅器件
光伏逆变器
不间断电源变频器
中性点钳位拓扑