onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, D2PAK, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 185-7972
- 制造商零件编号:
- AFGB40T65SQDN
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 800 - 3200 | RMB22.44 | RMB17,952.00 |
| 4000 + | RMB21.991 | RMB17,592.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-7972
- 制造商零件编号:
- AFGB40T65SQDN
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 238 瓦 | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| 栅极电容 | 2495pF | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 22.3mJ | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 238 瓦 | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 D2PAK | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
栅极电容 2495pF | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 22.3mJ | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- CN
使用新型现场停止第 4 代 IGBT 技术。AFGB40T65 SQDN 提供最佳性能，低传导损耗和切换损耗，可在各种应用中实现高效操作。
VCE （ SAT ） = 1.6 V （典型值） @IC =40 A
低 VF 软恢复共包装二极管
适用于汽车
低传导损耗
低噪声和传导损耗
应用
汽车载板充电
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器
最终产品
EV/PHEV
低 VF 软恢复共包装二极管
适用于汽车
低传导损耗
低噪声和传导损耗
应用
汽车载板充电
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器
最终产品
EV/PHEV