制造商编号

onsemi N型沟道 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-3PF, 通孔安装

RS 库存编号:: 185-7999
制造商零件编号:: FGAF40S65AQ
制造商:: onsemi

onsemi N型沟道 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-3PF, 通孔安装

小计（1 管，共 360 件）*

¥4,614.48

(不含税)

¥5,214.24

最后的 RS 库存

最终 360 个，准备发货

单位	每单位	Per Tube*
360 +	RMB12.818	RMB4,614.48

* 参考价格

RS 库存编号:: 185-7999
制造商零件编号:: FGAF40S65AQ
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流 Ic	80A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	94W
	包装类型	TO-3PF
	安装类型	通孔
	槽架类型	N型
	引脚数目	3
	最低工作温度	-55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最高工作温度	175°C
	系列	Trench
	长度	19.1mm
	标准/认证	Pb-Free and is RoHS
	汽车标准	否
	额定能量	325mJ

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 Ic 80A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 94W
	包装类型 TO-3PF
	安装类型通孔
	槽架类型 N型
	引脚数目 3
	最低工作温度 -55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最高工作温度 175°C
	系列 Trench
	长度 19.1mm
	标准/认证 Pb-Free and is RoHS
	汽车标准否
	额定能量 325mJ

Datasheet FGAF40S65AQ

COO (Country of Origin):: KR

使用新型现场停止 IGBT 技术， ON Semiconductor 公司推出的第 4 代 RC IGBT 系列新产品为整流器 PFC 级和工业应用提供了最佳性能。

最高结温： TJ =175 ° C

良好的温度共效，便于并行操作

高电流容量

低饱和度电压： VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A

高输入阻抗

已测试 ILM 的 100% 部件

已拧紧的参数分布

具有单片反向导电二极管的 IGBT

PFC ，焊接器