onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-3PF, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 185-7999
- 制造商零件编号:
- FGAF40S65AQ
- 制造商:
- onsemi
小计（1 管，共 360 件）*
¥4,614.48
(不含税)
¥5,214.24
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 720 个，准备发货
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 360 + | RMB12.818 | RMB4,614.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-7999
- 制造商零件编号:
- FGAF40S65AQ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 94 W | |
| 封装类型 | TO-3PF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 24.7mm | |
| 栅极电容 | 2590pF | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 额定能量 | 325mJ | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 94 W | ||
封装类型 TO-3PF | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.7 x 5.7 x 24.7mm | ||
栅极电容 2590pF | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
额定能量 325mJ | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- KR
使用新型现场停止 IGBT 技术， ON Semiconductor 公司推出的第 4 代 RC IGBT 系列新产品为整流器 PFC 级和工业应用提供了最佳性能。
最高结温： TJ =175 ° C
良好的温度共效，便于并行操作
高电流容量
低饱和度电压： VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A
高输入阻抗
已测试 ILM 的 100% 部件
快速切换
已拧紧的参数分布
具有单片反向导电二极管的 IGBT
应用
消费电器
PFC ，焊接器
工业应用
良好的温度共效，便于并行操作
高电流容量
低饱和度电压： VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A
高输入阻抗
已测试 ILM 的 100% 部件
快速切换
已拧紧的参数分布
具有单片反向导电二极管的 IGBT
应用
消费电器
PFC ，焊接器
工业应用