onsemi N型沟道 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 185-8642P
- 制造商零件编号:
- AFGB40T65SQDN
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 185-8642P
- 制造商零件编号:
- AFGB40T65SQDN
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 238W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.06mm | |
| 标准/认证 | RoHS, Pb-Free | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 额定能量 | 22.3mJ | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 238W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.06mm | ||
标准/认证 RoHS, Pb-Free | ||
宽度 10.67 mm | ||
长度 9.65mm | ||
额定能量 22.3mJ | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- CN
使用新型现场停止第 4 代 IGBT 技术。AFGB40T65 SQDN 提供最佳性能，低传导损耗和切换损耗，可在各种应用中实现高效操作。
VCE （ SAT ） = 1.6 V （典型值） @IC =40 A
低 VF 软恢复共包装二极管
适用于汽车
低传导损耗
低噪声和传导损耗
应用
汽车载板充电
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器
最终产品
EV/PHEV