onsemi N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 185-8671P
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SPD
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 114 - 224 | RMB32.455 |
| 226 + | RMB31.805 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-8671P
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SPD
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 267 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 额定能量 | 51mJ | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 栅极电容 | 1518pF | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 267 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
额定能量 51mJ | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
栅极电容 1518pF | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- CN
主要升级与 FGH40T65SPD-F085 相比，引线长度增加到 20mm ，更适合系统组装工作。3 x 额定电流动态屏蔽测试应用于最终测试，因此 100% 的部件在切换过程中不会受到锁定。窄的最终测试 DC 规格， GET 更紧密的分布式 VCE_SAT 和 VF 。
100% 的部件进行动态测试
严格的参数分配
增强的瞬态抗扰性
并行使用时更好的电流共享
应用
空调 E －压缩机
板载充电器
PTC 加热器
马达驱动
其它汽车动力传动应用
最终产品
扩展验证
海夫 / 海夫
严格的参数分配
增强的瞬态抗扰性
并行使用时更好的电流共享
应用
空调 E －压缩机
板载充电器
PTC 加热器
马达驱动
其它汽车动力传动应用
最终产品
扩展验证
海夫 / 海夫