onsemi N型沟道 场截止沟槽 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 185-8671P
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SPD
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-8671P
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SPD
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 场截止沟槽 IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 267W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.85V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 系列 | Trench | |
| 额定能量 | 51mJ | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 场截止沟槽 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 267W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.85V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
系列 Trench | ||
额定能量 51mJ | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- CN
主要升级与 FGH40T65SPD-F085 相比，引线长度增加到 20mm ，更适合系统组装工作。3 x 额定电流动态屏蔽测试应用于最终测试，因此 100% 的部件在切换过程中不会受到锁定。窄的最终测试 DC 规格， GET 更紧密的分布式 VCE_SAT 和 VF 。
100% 的部件进行动态测试
严格的参数分配
增强的瞬态抗扰性
并行使用时更好的电流共享
应用
空调 E －压缩机
板载充电器
PTC 加热器
马达驱动
其它汽车动力传动应用
最终产品
扩展验证
海夫 / 海夫