onsemi N型沟道, FGAF40S65AQ IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-3PF, 通孔安装

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185-8956
制造商零件编号:
FGAF40S65AQ
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流 Ic

80A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

94W

包装类型

TO-3PF

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.6V

最高工作温度

175°C

标准/认证

Pb-Free and is RoHS

宽度

15.3 mm

长度

19.1mm

系列

Trench

额定能量

325mJ

汽车标准

不符合

COO (Country of Origin):
KR
使用新型现场停止 IGBT 技术, ON Semiconductor 公司推出的第 4 代 RC IGBT 系列新产品为整流器 PFC 级和工业应用提供了最佳性能。

最高结温: TJ =175 ° C

良好的温度共效,便于并行操作

高电流容量

低饱和度电压: VCE (SAT) = 1.6V (typ.) @IC =40A

高输入阻抗

已测试 ILM 的 100% 部件

快速切换

已拧紧的参数分布

具有单片反向导电二极管的 IGBT

应用

消费电器

PFC ,焊接器

工业应用