onsemi IGBT, Ic 100 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 189-0182
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65SQ
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥494.76
(不含税)
¥559.08
(含税)
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB16.492 | RMB494.76 |
| 60 - 90 | RMB15.997 | RMB479.91 |
| 120 + | RMB15.517 | RMB465.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 189-0182
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65SQ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 268 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.87 x 4.82 x 20.82mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 268 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
使用新型现场停止 4th 发电 IGBT 技术。FGHL50T65SQ 是单 IGBT 。此 IGBT 提供最佳性能、低传导损耗和开关损耗、可在各种应用中实现高效操作。
VCE （ SAT ） = 1.6V （典型值） @ IC = 50A
高速切换
低共吸损失
低切换损耗
应用
PFC
最终产品
电源
空调
高速切换
低共吸损失
低切换损耗
应用
PFC
最终产品
电源
空调