STMicroelectronics N沟道沟槽栅场截止 IGBT, 3针, Ic 40 A, VCEO 650 V, TO, HB系列
- RS 库存编号:
- 192-4809
- 制造商零件编号:
- STGWT20H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 沟槽栅场截止 IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 40A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 168W | |
| 包装类型 | TO | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | HB | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 沟槽栅场截止 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 40A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 168W | ||
包装类型 TO | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 HB | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
这些设备是使用 Advanced 专利的沟渠门和现场停车结构开发的 IGBT 。该设备是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了传导和切换损耗之间的最佳折衷、以最大限度地提高任何变频器的效率。此外、 VCE （ SAT ）温度系数略微正极、参数分布非常紧、因此可实现更安全的并联操作。
最大接点温度： TJ= 175 °C
高速切换系列
最小化尾电流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
严格的参数分布
安全并联
低热阻
无铅封装
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