STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3针, TO, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 192-4809
- 制造商零件编号:
- STGWT20H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 192-4809
- 制造商零件编号:
- STGWT20H65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 168 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 168 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
尺寸 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
这些设备是使用 Advanced 专利的沟渠门和现场停车结构开发的 IGBT 。该设备是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了传导和切换损耗之间的最佳折衷、以最大限度地提高任何变频器的效率。此外、 VCE （ SAT ）温度系数略微正极、参数分布非常紧、因此可实现更安全的并联操作。
最大接点温度： TJ= 175 °C
高速切换系列
最小化尾电流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
严格的参数分布
安全并联
低热阻
无铅封装
高速切换系列
最小化尾电流
VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A
严格的参数分布
安全并联
低热阻
无铅封装