STMicroelectronics N型沟道沟槽栅场截止 IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO, 通孔安装

RS 库存编号:: 192-4809P
制造商零件编号:: STGWT20H65FB
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N型沟道沟槽栅场截止 IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO, 通孔安装

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产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	产品类型	沟槽栅场截止 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	168W
	包装类型	TO
	安装类型	通孔
	槽架类型	N型
	引脚数目	3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2V
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	系列	HB
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	产品类型沟槽栅场截止 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 40A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 168W
	包装类型 TO
	安装类型通孔
	槽架类型 N型
	引脚数目 3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	系列 HB
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: KR

这些设备是使用 Advanced 专利的沟渠门和现场停车结构开发的 IGBT 。该设备是新的 HB 系列 IGBT 的一部分、它代表了传导和切换损耗之间的最佳折衷、以最大限度地提高任何变频器的效率。此外、 VCE （ SAT ）温度系数略微正极、参数分布非常紧、因此可实现更安全的并联操作。

最大接点温度： TJ= 175 °C

高速切换系列

最小化尾电流

VCE （ SAT ） = 1.55 V （典型值） @ IC = 20 A

严格的参数分布

STMicroelectronics N型沟道 沟槽栅场截止 IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO, 通孔安装

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