onsemi N沟道IGBT模块双路晶体管, VCEO 1200 V, 22针, Q0BOOST, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 195-8769
- 制造商零件编号:
- NXH100B120H3Q0PTG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 195-8769
- 制造商零件编号:
- NXH100B120H3Q0PTG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 186 W | |
| 封装类型 | Q0BOOST | |
| 配置 | 双 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 22 | |
| 晶体管配置 | 双路 | |
| 尺寸 | 66.2 x 32.8 x 11.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 186 W | ||
封装类型 Q0BOOST | ||
配置 双 | ||
安装类型 贴片 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 22 | ||
晶体管配置 双路 | ||
尺寸 66.2 x 32.8 x 11.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -40°C | ||
NXH100B120H3Q0 是一款电源模块，包含一个双升压级，由两个 50A/1200V IGBT、两个 20A/1200V SiC 二极管和两个用于 IGBT 的 25A/1600V 反并联二极管组成。包括两个用于浪涌电流限制的附加 25A/1600V 旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。
IGBT 规格：VCE(SAT) = 1.77 V，ESW = 2180 uJ
快速 IGBT，带低 VCE (SAT)，用于提高效率
25 A/1600 V 旁通和防并联二极管
低 VF 旁路二极管，可在旁路模式下提高出色的效率
SiC 整流器规格：VF = 1.44 V
SiC 二极管，确保高速切换
提供焊接引脚和压配引脚选项
安装灵活
应用
mppt 升压级
电池充电器升压级
快速 IGBT，带低 VCE (SAT)，用于提高效率
25 A/1600 V 旁通和防并联二极管
低 VF 旁路二极管，可在旁路模式下提高出色的效率
SiC 整流器规格：VF = 1.44 V
SiC 二极管，确保高速切换
提供焊接引脚和压配引脚选项
安装灵活
应用
mppt 升压级
电池充电器升压级