onsemi N沟道IGBT模块, VCEO 1200 V, 44针, Q13 - tnpc, 贴片安装

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包装方式:
RS 库存编号:
195-8775P
制造商零件编号:
NXH40T120L3Q1SG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

145 W

封装类型

Q13 - tnpc

安装类型

贴片

通道类型

N

引脚数目

44

尺寸

83 x 37.9 x 12.5mm

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

+175 °C

s8/sg 是外壳电源模块、包含三通道 t 型中性点夹持( tnpc )电路。每个通道具有两个 1200 v 、 40 a 带反向二极管的沟道和两个 650 v 、 25 a 带反向二极管的沟道。该模块包含一个 ntc 热敏电阻

快速切换 1200V 和 650V 具有低 vcesat 的带
比替代解决方案更高效
可选压配引脚和焊接引脚
更广泛的模块安装过程选择
应用
直流/直流转换

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。