STMicroelectronics N型沟道 IGBT, Ic 50 A, VCEO 650 V, 3引脚, 至 247 ll, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 201-4417
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥529.80
(不含税)
¥598.80
(含税)
有库存
- 420 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB17.66 | RMB529.80 |
| 60 - 90 | RMB17.307 | RMB519.21 |
| 120 + | RMB16.788 | RMB503.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 201-4417
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 包装类型 | 至 247 ll | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 系列 | STG | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
包装类型 至 247 ll | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.1mm | ||
系列 STG | ||
宽度 21.1 mm | ||
长度 15.9mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 栅极场截止、 650 v 、 30 a 、高速 HB2 系列的栅极、采用模块化至 247 长引线封装、具有正 vce （ sat ）温度系数。
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻