STMicroelectronics N沟道IGBT串行晶体管, VCEO 650 V, 3针, 到 -247 长引线
- RS 库存编号:
- 201-4418
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥118.19
(不含税)
¥133.555
(含税)
有库存
- 另外 420 件在 2025年12月08日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB23.638 | RMB118.19 |
| 10 + | RMB22.924 | RMB114.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 201-4418
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 最大功率耗散 | 167 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | 到 -247 长引线 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
最大功率耗散 167 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 到 -247 长引线 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 串行 | ||
STMicroelectronics 栅极场截止、 650 v 、 30 a 、高速 HB2 系列的栅极、采用模块化至 247 长引线封装、具有正 vce （ sat ）温度系数。
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
严格的参数分布
低热阻