STMicroelectronics N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247
- RS 库存编号:
- 202-5514
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB23.816 | RMB714.48 |
| 150 + | RMB21.434 | RMB643.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5514
- 制造商零件编号:
- STGWA30HP65FB
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
STMicroelectronics 系列、开发采用先进 Advanced trench gate fieldstop 结构。该器件是全新 hb 系列的无电阻抗器的一部分、它代表传导和切换损耗之间的最佳平衡、可最大程度地提高任何变频器的效率。
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非常快的软恢复反并联二极管
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