STMicroelectronics N型沟道, STGWA40IH65DF IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz

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RS 库存编号:
202-5519
制造商零件编号:
STGWA40IH65DF
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流 Ic

40A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

238W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

开关速度

1MHz

最低工作温度

-55°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

175°C

长度

15.9mm

宽度

21.1 mm

标准/认证

RoHS

系列

STG

高度

5.1mm

汽车标准

STMicroelectronics ih 系列的无电流晶体管是使用先进 Advanced trench gate field-stop 结构开发的、其在传导和开关损耗方面的性能均经过优化、可实现软换向。

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