STMicroelectronics N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247
- RS 库存编号:
- 202-5519
- 制造商零件编号:
- STGWA40IH65DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 5 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 + | RMB25.888 | RMB129.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5519
- 制造商零件编号:
- STGWA40IH65DF
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 40 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 238 瓦 | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 40 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 238 瓦 | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
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正 vce （ sat ）温度系数
正 vce （ sat ）温度系数