onsemi N型沟道 场截止沟槽 IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 202-5668
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SQ
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | RMB21.183 | RMB9,532.35 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5668
- 制造商零件编号:
- AFGHL40T65SQ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | 场截止沟槽 IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 1W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±3 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | Trench | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 场截止沟槽 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 1W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±3 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 Trench | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
ON Semiconductor 场它是一款独立的电动机。
符合 AEC-Q101
高电流容量
快速切换
严格的参数分布
符合 RoHS