onsemi N沟道IGBT, Ic 100 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247
- RS 库存编号:
- 202-5676
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65SQDT
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | RMB23.387 | RMB10,524.15 |
| 900 - 1350 | RMB22.919 | RMB10,313.55 |
| 1800 + | RMB22.461 | RMB10,107.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 202-5676
- 制造商零件编号:
- FGHL50T65SQDT
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30.0V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 134 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 100 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30.0V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 134 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
ON Semiconductor
175°c 最大接点温度
高电流容量
高输入阻抗
快速切换
拧紧参数分布
无铅且符合 rohs 标准
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高输入阻抗
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拧紧参数分布
无铅且符合 rohs 标准