onsemi N沟道IGBT模块, 6个, Ic 35 A, VCEO 650 V, DIP26, 通孔安装

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202-5682
制造商零件编号:
NXH35C120L2C2SG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

35 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20.0V

晶体管数

6

封装类型

DIP26

配置

3 相

安装类型

通孔

通道类型

N

on ON Semiconductor transfer 模制电源模块包含一个转换器 - 反相器 - 制动电路、其中包括六个 35 安培和 1600 伏整流器、六个 35 安培和 1200 伏带反向二极管的驻车制动器、一个 35 安培和 1200 伏制动器的驻车制动器和一个 ntc 热敏电阻。

低热阻
引脚与散热器之间的间隙为 6mm
可焊接引脚
电热调节器
无铅
无卤或 bfr
符合 RoHS

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。