制造商编号

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 86 A, VCEO 650 V, 1 MHz, TO-247, STG系列

RS 库存编号:: 204-3944P
制造商零件编号:: STGWA50HP65FB2
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 86 A, VCEO 650 V, 1 MHz, TO-247, STG系列

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RS 库存编号:: 204-3944P
制造商零件编号:: STGWA50HP65FB2
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	最大连续集电极电流 Ic	86A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	272W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	3
	开关速度	1MHz
	最低工作温度	-55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	2V
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	175°C
	系列	STG
	长度	15.9mm
	高度	5.1mm
	宽度	21.1mm
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	最大连续集电极电流 Ic 86A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 272W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 3
	开关速度 1MHz
	最低工作温度 -55°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 175°C
	系列 STG
	长度 15.9mm
	高度 5.1mm
	宽度 21.1mm
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - STGWA50HP65FB2

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表着先进 Advanced trench gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。仅用于保护目的的二极管与电极绝缘并联封装。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于各种快速应用。

最大接点温度为 175°c

共封装保护二极管

最小化尾电流

严格的参数分布

正温度系数

STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 86 A, VCEO 650 V, 1 MHz, TO-247, STG系列

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