STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 86 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247
- RS 库存编号:
- 204-3944P
- 制造商零件编号:
- STGWA50HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 + | RMB24.658 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-3944P
- 制造商零件编号:
- STGWA50HP65FB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 86 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 272 W | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 86 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 272 W | ||
封装类型 TO-247 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics HB2 650 v 、但其代表着先进 Advanced trench gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。仅用于保护目的的二极管与电极绝缘并联封装。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于各种快速应用。
最大接点温度为 175°c
共封装保护二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正温度系数
共封装保护二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正温度系数