STMicroelectronics N沟道IGBT, 3针, Ic 50 A, VCEO 650 V, 1 MHz, TO-263, Trench Gate Field Stop系列
- RS 库存编号:
- 204-9867
- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
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- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 系列 | Trench Gate Field Stop | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.4mm | ||
系列 Trench Gate Field Stop | ||
高度 4.6mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
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