STMicroelectronics N型沟道, STGB30H65DFB2 IGBT, Ic 50 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-263, 表面安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 204-9868
- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥96.77
(不含税)
¥109.35
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年8月17日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB19.354 | RMB96.77 |
| 250 - 495 | RMB18.772 | RMB93.86 |
| 500 + | RMB18.212 | RMB91.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-9868
- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 167W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | Trench Gate Field Stop | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 167W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 Trench Gate Field Stop | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.6mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布