STMicroelectronics IGBT, Ic 50 A, VCEO 650 V, 3针, D2PAK (TO-263)
- RS 库存编号:
- 204-9868
- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 245 | RMB14.432 | RMB72.16 |
| 250 - 495 | RMB13.998 | RMB69.99 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 204-9868
- 制造商零件编号:
- STGB30H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 167 W | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 167 W | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
引脚数目 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布