制造商编号

STMicroelectronics IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247

RS 库存编号:: 206-6065
制造商零件编号:: STGWA30IH65DF
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247

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RS 库存编号:: 206-6065
制造商零件编号:: STGWA30IH65DF
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	最大连续集电极电流	60 A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	108 W
	封装类型	TO-247
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	最大连续集电极电流 60 A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 108 W
	封装类型 TO-247
	引脚数目 4

Datasheet - STGWA30IH65DF

STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。

设计仅用于软换向
最大接点温度： tj = 175 °c
vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 30 a
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
低压降电压续流联合封装二极管
正 vce （ sat ）温度系数

STMicroelectronics IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。