STMicroelectronics N型沟道, STGWA20H65DFB2 IGBT, Ic 40 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 206-7209
- 制造商零件编号:
- STGWA20H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥481.41
(不含税)
¥543.99
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB16.047 | RMB481.41 |
| 150 + | RMB15.727 | RMB471.81 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 206-7209
- 制造商零件编号:
- STGWA20H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 40A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 147W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | Trench Gate Field Stop | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 40A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 147W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 Trench Gate Field Stop | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 沟道场截止、 650 v 、 20 a 、高速 HB2 系列的栅极、以模块化 -247 长引线封装提供。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 20 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数