STMicroelectronics IGBT, Ic 115 A, VCEO 650 V, 3针, TO-247
- RS 库存编号:
- 206-7211
- 制造商零件编号:
- STGWA75H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB32.454 | RMB973.62 |
| 150 + | RMB31.804 | RMB954.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 206-7211
- 制造商零件编号:
- STGWA75H65DFB2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 115 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 357 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 115 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 357 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
STMicroelectronics 沟道场截止、 650 v 、 75 a 、高速 HB2 系列的栅极、以模块化 -247 长引线封装提供。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 75 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数
低 vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 75 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数