STMicroelectronics N型沟道 IGBT, Ic 115 A, VCEO 650 V, 4引脚, TO-247, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 206-8629P
- 制造商零件编号:
- STGW75H65DFB2-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 206-8629P
- 制造商零件编号:
- STGW75H65DFB2-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 115A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 357W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | STG | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 115A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 357W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 4 | ||
开关速度 1MHz | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 STG | ||
宽度 21.1 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 5.1mm | ||
长度 15.9mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
最大接点温度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 75 a
非常快速且软恢复的共封二极管
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数
得益于额外的开开着引脚、具有极佳的切换性能