STMicroelectronics IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, 4针, TO-247
- RS Stock No.:
- 206-8630
- Mfr. Part No.:
- STGWA30IH65DF
- Brand:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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*price indicative
- RS Stock No.:
- 206-8630
- Mfr. Part No.:
- STGWA30IH65DF
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 108 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 108 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-247 | ||
引脚数目 4 | ||
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。
设计仅用于软换向
最大接点温度： tj = 175 °c
vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 30 a
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
低压降电压续流联合封装二极管
正 vce （ sat ）温度系数
最大接点温度： tj = 175 °c
vce （ sat ） = 1.55 v （典型值） @ ic = 30 a
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
低压降电压续流联合封装二极管
正 vce （ sat ）温度系数