STMicroelectronics N沟道IGBT, Ic 145 A, VCEO 650 V, 4针, TO247 － 4
- RS 库存编号:
- 212-2106
- 制造商零件编号:
- STGW100H65FB2-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | RMB52.167 | RMB1,565.01 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 212-2106
- 制造商零件编号:
- STGW100H65FB2-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 145 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 441 W | |
| 封装类型 | TO247 － 4 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 145 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 441 W | ||
封装类型 TO247 － 4 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 4 | ||
晶体管配置 单 | ||
IGBT
STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先进 Advanced gate field-stop 结构的演变。由于在低电流值下具有更好的 vce （ sat ）行为、以及在降低切换能量方面、 HB2 系列的传导性能得到了优化。结果是专门设计用于最大程度提高效率的产品、适用于广泛的快速应用。
最小化尾电流
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数
严格的参数分布
低热阻
正 vce （ sat ）温度系数