制造商编号

Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 60 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

RS 库存编号:: 215-6615P
制造商零件编号:: AIKW30N60CTXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 60 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

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RS 库存编号:: 215-6615P
制造商零件编号:: AIKW30N60CTXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT 单晶体管 IC
	最大连续集电极电流 Ic	60A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	600V
	最大功耗 Pd	187W
	包装类型	TO-247
	安装类型	通孔
	槽架类型	N型
	引脚数目	3
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.5V
	最低工作温度	-40°C
	最高工作温度	175°C
	系列	TrenchStop
	高度	5.21mm
	标准/认证	No
	长度	42mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT 单晶体管 IC
	最大连续集电极电流 Ic 60A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 600V
	最大功耗 Pd 187W
	包装类型 TO-247
	安装类型通孔
	槽架类型 N型
	引脚数目 3
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V
	最低工作温度 -40°C
	最高工作温度 175°C
	系列 TrenchStop
	高度 5.21mm
	标准/认证 No
	长度 42mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet-AIKW30N60CTXKSA1

Infineon 绝缘栅双极晶体管采用现场停止技术、带软快恢复反并联发射器控制二极管。

高效

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰

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