Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, pg － TO263 － 3
- RS Stock No.:
- 215-6619
- Mfr. Part No.:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB33.447 | RMB1,003.41 |
| 60 - 90 | RMB32.779 | RMB983.37 |
| 120 + | RMB31.795 | RMB953.85 |
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- RS Stock No.:
- 215-6619
- Mfr. Part No.:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 封装类型 | pg － TO263 － 3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
封装类型 pg － TO263 － 3 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon 场站技术绝缘栅双极晶体管、带软快速恢复防并联发射器控制二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰