Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3针, pg － TO263 － 3
- RS 库存编号:
- 215-6619
- 制造商零件编号:
- AIKW50N60CTXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB33.203 | RMB996.09 |
| 60 - 90 | RMB32.54 | RMB976.20 |
| 120 + | RMB31.563 | RMB946.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6619
- 制造商零件编号:
- AIKW50N60CTXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 250 W | |
| 封装类型 | pg － TO263 － 3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 250 W | ||
封装类型 pg － TO263 － 3 | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon 场站技术绝缘栅双极晶体管、带软快速恢复防并联发射器控制二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰