Infineon N型沟道 IGBT 单晶体管 IC, Ic 80 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-263, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-6619
- 制造商零件编号:
- AIKW50N60CTXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 管，共 30 件）*
¥1,196.01
(不含税)
¥1,351.50
(含税)
有库存
- 1,140 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB39.867 | RMB1,196.01 |
| 60 - 90 | RMB39.07 | RMB1,172.10 |
| 120 + | RMB37.898 | RMB1,136.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6619
- 制造商零件编号:
- AIKW50N60CTXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 长度 | 42mm | |
| 宽度 | 16.13 mm | |
| 系列 | TRENCHSTOPTM | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.5V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.21mm | ||
长度 42mm | ||
宽度 16.13 mm | ||
系列 TRENCHSTOPTM | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 场站技术绝缘栅双极晶体管、带软快速恢复防并联发射器控制二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰