Infineon N沟道IGBT单晶体管芯片, 3针, Ic 60 A, VCEO 650 V, TO-247, Resonant Switching系列
- RS 库存编号:
- 215-6639P
- 制造商零件编号:
- IHW30N65R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 215-6639P
- 制造商零件编号:
- IHW30N65R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 60A | |
| 产品类型 | IGBT单晶体管芯片 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 176W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.7V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 42mm | |
| 宽度 | 16.13mm | |
| 系列 | Resonant Switching | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 60A | ||
产品类型 IGBT单晶体管芯片 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 176W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.7V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 42mm | ||
宽度 16.13mm | ||
系列 Resonant Switching | ||
高度 5.21mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 谐振开关系列反向导电绝缘栅双极晶体管、带单片主体二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰