Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 30 A, VCEO 650 V, TO-263, High Speed Fifth Generation系列

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RS 库存编号:
215-6647
制造商零件编号:
IKB15N65EH5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

30A

产品类型

IGBT 单晶体管 IC

最大集电极-发射极电压 Vceo

650V

最大功耗 Pd

105W

包装类型

TO-263

安装类型

表面

槽架类型

N

引脚数目

3

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±30 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.65V

最高工作温度

175°C

系列

High Speed Fifth Generation

标准/认证

JEDEC47/20/22

汽车标准

否

英飞凌高速开关绝缘栅双极晶体管结合全额 Rapid 电流快速 1 反并联二极管、还具有 650V 击穿电压。 Infineon 也可为 。

高效

低切换损耗

增强的可靠性

低电磁干扰

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