Infineon IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, 3针, pg － TO263 － 3
- RS 库存编号:
- 215-6648
- 制造商零件编号:
- IKB15N65EH5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6648
- 制造商零件编号:
- IKB15N65EH5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30 V | |
| 最大功率耗散 | 105 W | |
| 封装类型 | pg － TO263 － 3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V | ||
最大功率耗散 105 W | ||
封装类型 pg － TO263 － 3 | ||
引脚数目 3 | ||
英飞凌高速开关绝缘栅双极晶体管结合全额 Rapid 电流快速 1 反并联二极管、还具有 650V 击穿电压。 Infineon 也可为 。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰