Infineon N沟道IGBT 单晶体管 IC, 3针, Ic 30 A, VCEO 650 V, TO-263, High Speed Fifth Generation系列
- RS 库存编号:
- 215-6648
- 制造商零件编号:
- IKB15N65EH5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6648
- 制造商零件编号:
- IKB15N65EH5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 105W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 105W | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌高速开关绝缘栅双极晶体管结合全额 Rapid 电流快速 1 反并联二极管、还具有 650V 击穿电压。 Infineon 也可为 。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
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