Infineon IGBT, Ic 79 A, VCEO 650 V, 3针, pg － TO263 － 3
- RS 库存编号:
- 215-6654
- 制造商零件编号:
- IKB40N65ES5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥13,935.00
(不含税)
¥15,747.00
(含税)
有库存
- 另外 4,000 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB13.935 | RMB13,935.00 |
| 5000 + | RMB13.657 | RMB13,657.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6654
- 制造商零件编号:
- IKB40N65ES5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 79 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30 V | |
| 最大功率耗散 | 230 W | |
| 封装类型 | pg － TO263 － 3 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 79 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V | ||
最大功率耗散 230 W | ||
封装类型 pg － TO263 － 3 | ||
引脚数目 3 | ||
the Infineon 系列
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰