Infineon N型沟道, IKFW40N60DH3EXKSA1 IGBT 单晶体管 IC, Ic 34 A, VCEO 600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 215-6659
- 制造商零件编号:
- IKFW40N60DH3EXKSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥69.10
(不含税)
¥78.08
(含税)
有库存
- 另外 1,642 件在 2026年3月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | RMB34.55 | RMB69.10 |
| 8 - 14 | RMB33.51 | RMB67.02 |
| 16 + | RMB32.51 | RMB65.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6659
- 制造商零件编号:
- IKFW40N60DH3EXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 34A | |
| 产品类型 | IGBT 单晶体管 IC | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 111W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.3V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 系列 | TrenchStop | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 34A | ||
产品类型 IGBT 单晶体管 IC | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 111W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.3V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
系列 TrenchStop | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 高速开关系列绝缘栅双极晶体管快速软反并联二极管采用完全隔离封装。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰