Infineon N沟道IGBT, 3针, Ic 90 A, VCEO 650 V, TO-247, High Speed Fifth Generation系列
- RS 库存编号:
- 215-6675P
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 215-6675P
- 制造商零件编号:
- IKW75N65EH5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 90A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 395W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 41.42mm | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 宽度 | 16.13mm | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 90A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 395W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 41.42mm | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
宽度 16.13mm | ||
标准/认证 JEDEC | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 高速第五代系列 IGBT,650V 最大集电极发射极电压,90A 最大连续集电极电流 - IKW75N65EH5XKSA1
该 IGBT 是一款电源开关设备,专为工业电子领域的高电压、高电流应用而设计。它将快速开关能力与稳健的电压处理相结合,以支持逆变器和电机驱动拓扑。该组件采用通孔 TO-247 封装,按照 JEDEC 标准制造,具有一致的电气特性。
特性和优点:
• 650V Vceo 额定值支持高压逆变器设计
• 90A 连续集电极电流支持重型电机负载
• 1.65V Vcesat 可最大限度减少高电流下的传导损耗
• ±30V 栅极容差支持灵活的驱动电压
• 395W 功耗,可实现持久热负载
• 工作温度范围为 -40°C 至 175°C,适用于高温环境
• 90A 连续集电极电流支持重型电机负载
• 1.65V Vcesat 可最大限度减少高电流下的传导损耗
• ±30V 栅极容差支持灵活的驱动电压
• 395W 功耗,可实现持久热负载
• 工作温度范围为 -40°C 至 175°C,适用于高温环境
应用
• 适用于工业电机驱动功率级应用
• 适用于三相逆变器输出晶体管
• 与需要高电流开关的电源配合使用
• 可用于牵引和重型驱动组件
• 适用于通孔原型制作和 PCB 安装模块
• 适用于三相逆变器输出晶体管
• 与需要高电流开关的电源配合使用
• 可用于牵引和重型驱动组件
• 适用于通孔原型制作和 PCB 安装模块
哪些封装特性会影响热传输?
TO-247 封装提供大面积金属背衬用于安装散热器,并采用通孔引线实现牢固安装,从而将耗散功率高效传导至外部冷却系统。
栅极电压限制如何影响驱动器选择?
最大栅极-发射极额定值为 ±30V,驱动器必须将栅极振幅保持在此范围内,以防止设备应力,同时为快速开关转换提供足够的驱动力。
对于多个设备的并行操作,有哪些注意事项?
在各个装置之间共享电流时,确保匹配的 Vcesat 特性和单独的栅极驱动控制
需要适当的热管理,以防止在不均匀的负载共享条件下出现热失控。
该设备在高环境温度下的表现如何?
指定工作温度高达 175°C,表明其适用于高温环境,但由于耗散能力为 395W,系统级热设计必须将结温保持在安全范围内。
