制造商编号

Infineon IGBT, Ic 85 A, VCEO 650 V, 4针, pg － TO247 － 4

RS 库存编号:: 215-6677P
制造商零件编号:: IKZ50N65EH5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon IGBT, Ic 85 A, VCEO 650 V, 4针, pg － TO247 － 4

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RS 库存编号:: 215-6677P
制造商零件编号:: IKZ50N65EH5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	85 A
	最大集电极-发射极电压	650 V
	最大栅极发射极电压	±20 V, ±30 V
	最大功率耗散	273 W
	封装类型	pg － TO247 － 4
	引脚数目	4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 85 A
	最大集电极-发射极电压 650 V
	最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V
	最大功率耗散 273 W
	封装类型 pg － TO247 － 4
	引脚数目 4

Datasheet-IKZ50N65EH5XKSA1

Infineon 650V 双组份绝缘栅双极型晶体管和二极管带有 Rapid 二极管和软反并联二极管。

高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰

Infineon IGBT, Ic 85 A, VCEO 650 V, 4针, pg － TO247 － 4

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