Infineon IGBT, Ic 85 A, VCEO 650 V, 4针, pg － TO247 － 4
- RS Stock No.:
- 215-6677P
- Mfr. Part No.:
- IKZ50N65EH5XKSA1
- Brand:
- Infineon
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- IKZ50N65EH5XKSA1
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- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 85 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V, ±30 V | |
| 最大功率耗散 | 273 W | |
| 封装类型 | pg － TO247 － 4 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 85 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20 V, ±30 V | ||
最大功率耗散 273 W | ||
封装类型 pg － TO247 － 4 | ||
引脚数目 4 | ||
Infineon 650V 双组份绝缘栅双极型晶体管和二极管带有 Rapid 二极管和软反并联二极管。
高效
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰
低切换损耗
增强的可靠性
低电磁干扰