Infineon N沟道IGBT模块, 7个, Ic 10 A, VCEO 1200 V, EASY1B
- RS 库存编号:
- 218-4345
- 制造商零件编号:
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 5 | RMB225.21 |
| 6 - 11 | RMB218.45 |
| 12 + | RMB211.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4345
- 制造商零件编号:
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 10 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 封装类型 | EASY1B | |
| 通道类型 | N | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 10 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
封装类型 EASY1B | ||
通道类型 N | ||
the Infineon 三相输入整流器电源集成模块的集成式单位为：具有 trenchstop IGBT7 技术的单位为：它具有 1200 伏的集电极发射极电压它可用于辅助变频器、电动机驱动器和空调。
高功率密度
紧凑设计
presfit 触点技术
优化损耗和 emi 之间的平衡
紧凑设计
presfit 触点技术
优化损耗和 emi 之间的平衡