Infineon N沟道IGBT模块, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, EASY2B
- RS 库存编号:
- 218-4359
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4359
- 制造商零件编号:
- FP75R12KT4PBPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 封装类型 | EASY2B | |
| 通道类型 | N | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
晶体管数 7 | ||
封装类型 EASY2B | ||
通道类型 N | ||
the Infineon 三相输入的绝缘栅模块采用 trenchstop IGBT4 技术。它具有 1200 v 的集电极发射极电压和 75 a 的正向电流它可用于伺服电动机、电动机控制和驱动。
紧凑型模块概念
优化客户的开发周期时间和成本
高可靠性和功率密度
铜基板、用于优化散热
低切换损耗
高开关频率
配置灵活性
优化客户的开发周期时间和成本
高可靠性和功率密度
铜基板、用于优化散热
低切换损耗
高开关频率
配置灵活性