Infineon N型沟道 IGBT, 1个, Ic 50 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 218-4389
- 制造商零件编号:
- IGB50N65H5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4389
- 制造商零件编号:
- IGB50N65H5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 270W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 高度 | 4.57mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 宽度 | 9.45 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 270W | ||
晶体管数 1 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
高度 4.57mm | ||
长度 10.31mm | ||
宽度 9.45 mm | ||
汽车标准 否 | ||
the Infineon trenchtop IGBT5 技术重新定义了杰出的无电偶、通过在高效率上为硬切换应用提供无与伦比的性能、从而降低接点和外壳温度、从而提高设备可靠性。它具有 650 v 的集电极发射极电压和 80 a 的集电极电流
更高的功率密度设计
总线电压可能增加 50V 、但不会影响可靠性
低碳正温度系数