Infineon N沟道IGBT, Ic 80 A, VCEO 650 V, 3针, TO-263
- RS 库存编号:
- 218-4389
- 制造商零件编号:
- IGB50N65H5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4389
- 制造商零件编号:
- IGB50N65H5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 270 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 270 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-263 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
the Infineon trenchtop IGBT5 技术重新定义了杰出的无电偶、通过在高效率上为硬切换应用提供无与伦比的性能、从而降低接点和外壳温度、从而提高设备可靠性。它具有 650 v 的集电极发射极电压和 80 a 的集电极电流
更高的功率密度设计
总线电压可能增加 50V 、但不会影响可靠性
低碳正温度系数
总线电压可能增加 50V 、但不会影响可靠性
低碳正温度系数