Infineon N沟道IGBT, 3针, 1个晶体管, Ic=30 A, VCEO=1.6 kV, TO-247, IHW30N160R5系列
- RS 库存编号:
- 218-4399P
- 制造商零件编号:
- IHW30N160R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 218-4399P
- 制造商零件编号:
- IHW30N160R5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1.6kV | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功耗 Pd | 263W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±25 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.85V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 16.3mm | |
| 长度 | 21.5mm | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 系列 | IHW30N160R5 | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1.6kV | ||
晶体管数 1 | ||
最大功耗 Pd 263W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±25 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.85V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 16.3mm | ||
长度 21.5mm | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
系列 IHW30N160R5 | ||
高度 5.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IHW30N160R5系列IGBT,1600V集电极-发射极电压,30A集电极电流 - IHW30N160R5XKSA1
这款IGBT是一款高压通孔晶体管,专为严苛工业环境中的电源开关而设计。它采用 TO‐247 封装,可作为 N 通道设备运行,适用于需要大量电流处理和高耐温性的应用。
特性和优点:
• 可处理 30 A 的连续集电极电流,用于持续负载
• 可承受高电压系统的 1600V 集电极-发射极电压
• 额定功耗为 263 W,支持重型开关负载
• 1.85V 的低集电极-发射极饱和电压可减少传导损耗
• 栅极发射极电压容差为 ±20-25V,可实现稳固的栅极驱动空间
• 符合JEDEC 47/20/22标准,具有标准化的热和机械适应性
• 可承受高电压系统的 1600V 集电极-发射极电压
• 额定功耗为 263 W,支持重型开关负载
• 1.85V 的低集电极-发射极饱和电压可减少传导损耗
• 栅极发射极电压容差为 ±20-25V,可实现稳固的栅极驱动空间
• 符合JEDEC 47/20/22标准,具有标准化的热和机械适应性
应用
• 适用于工业高压变频器级
• 用于中等功率的牵引和电机驱动模块
• 适用于高压直流-直流转换电路
• 可用于工业自动化领域的电源
• 与在高温条件下运行的热管理系统配合使用
• 用于中等功率的牵引和电机驱动模块
• 适用于高压直流-直流转换电路
• 可用于工业自动化领域的电源
• 与在高温条件下运行的热管理系统配合使用
它能承受的工作温度范围是多少?
它可在 -40°C 至 175°C 温度范围内工作,适用于广泛的热环境。
该设备包含多少晶体管元件?
该封装包含一个单晶体管元件,用于分立开关。
它采用哪种安装方式和封装类型?
它采用 TO‐247 封装,用于通孔安装。
是否有机械和热测试认证?
它符合JEDEC 47/20/22标准,涵盖热循环和相关测试。
