Infineon N沟道IGBT, Ic 30 A, VCEO 1600 v, 3针, TO-247

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包装方式:
RS 库存编号:
218-4399P
制造商零件编号:
IHW30N160R5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流

30 A

最大集电极-发射极电压

1600 v

最大栅极发射极电压

20V

晶体管数

1

最大功率耗散

263 W

封装类型

TO-247

通道类型

N

引脚数目

3

晶体管配置

尺寸

16.3 x 21.5 x 5.3mm

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

+175°C

栅极电容

1500pF

英飞凌 IGBT,30A 最大连续集电极电流,1600V 最大集电极发射极电压 - IHW30N160R5XKSA1


这款 IGBT 是专为高压应用设计的坚固半导体器件,集电极最大电流为 30A,工作温度范围为 -40°C 至 +175°C 。TO-247 封装确保了安装的便利性,而 16.3 x 21.5 x 5.3 毫米的尺寸则为各种电子需求提供了紧凑的解决方案。

特点和优势


• 反向导电能力可提高性能
• 单片体二极管可降低正向电压损耗
• 严格的参数分布提高了可靠性
• 高坚固性提高了在苛刻条件下的耐用性
• 低 EMI 辐射确保电路干扰最小化

应用


• 用于电磁炉烹饪
• 适用于微波炉电路
• 适用于各种高压开关
• 与专用半导体电源模块兼容

该设备的主要热特性是什么?


结点到环境的热阻为 40 K/W,结点到外壳的热阻为 0.57 K/W,确保了负载条件下的高效热管理。

这种 IGBT 模块如何处理高压应用?


它的集电极-发射极额定电压高达 1600V,适用于高压环境,并能在规定的范围内保持安全运行。

最大功率耗散对设计有什么影响?


它的最大功率耗散为 263W,可实现高效的能源管理,确保设备在典型应用中有效运行而不会出现热过载。

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。