Infineon N型沟道 IGBT, 1个, Ic 30 A, VCEO 1600 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装

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包装方式：
RS 库存编号:
218-4399P
制造商零件编号:
IHW30N160R5XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

30A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1600V

晶体管数

1

最大功耗 Pd

263W

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

槽架类型

N型

引脚数目

3

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.85V

最低工作温度

-40°C

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 ±25 V

最高工作温度

175°C

系列

IHW30N160R5

标准/认证

JEDEC47/20/22

长度

21.5mm

高度

5.3mm

宽度

16.3 mm

汽车标准

否

英飞凌 IGBT，30A 最大连续集电极电流，1600V 最大集电极发射极电压 - IHW30N160R5XKSA1


这款 IGBT 是专为高压应用设计的坚固半导体器件，集电极最大电流为 30A，工作温度范围为 -40°C 至 +175°C 。TO-247 封装确保了安装的便利性，而 16.3 x 21.5 x 5.3 毫米的尺寸则为各种电子需求提供了紧凑的解决方案。

特点和优势


• 反向导电能力可提高性能

• 单片体二极管可降低正向电压损耗

• 严格的参数分布提高了可靠性

• 高坚固性提高了在苛刻条件下的耐用性

• 低 EMI 辐射确保电路干扰最小化

应用


• 用于电磁炉烹饪

• 适用于微波炉电路

• 适用于各种高压开关

• 与专用半导体电源模块兼容

该设备的主要热特性是什么？


结点到环境的热阻为 40 K/W，结点到外壳的热阻为 0.57 K/W，确保了负载条件下的高效热管理。

这种 IGBT 模块如何处理高压应用？


它的集电极-发射极额定电压高达 1600V，适用于高压环境，并能在规定的范围内保持安全运行。

最大功率耗散对设计有什么影响？


它的最大功率耗散为 263W，可实现高效的能源管理，确保设备在典型应用中有效运行而不会出现热过载。