STMicroelectronics IGBT, 6个串行晶体管, Ic 6 A, VCEO 600 V, 26针, N2DIP - 26L z 型

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RS 库存编号:
218-4824
制造商零件编号:
STGIPQ4C60T-HZ
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

6 A

最大集电极-发射极电压

600 V

最大栅极发射极电压

600V

晶体管数

6

最大功率耗散

12.5 W

封装类型

N2DIP - 26L z 型

引脚数目

26

晶体管配置

串行

SLLIMM nano 2nd 系列 IPM,3 相变频器,6 A,600 V,短路坚固 IGBT


此第二系列 SLLIMM(小型低损耗智能模制模块)nano 提供紧凑型、高性能交流电动机驱动,采用简单、坚固的设计。它由六个改进的短路坚固的槽门现场 IGBT 组成,带自由轮二极管和三个半桥 HVIC,用于门驱动,提供低电磁干扰 (EMI) 特性和优化的切换速度。该封装设计用于实现更好、更易于螺钉加热的散热器,并经过优化,用于内置电动机应用或其他装配空间受限的低功率应用中的热性能和紧凑性。此 IPM 包括一个完全不受约束的运算放大器和比较器,可用于设计快速高效的保护电路。

  • IPM 6 A,600 V,3 相 IGBT 变频器桥接,包括 3 个控制 IC,用于门驱动和自由轮二极管

  • 3.3 V、5 V、15 V TTL/CMOS 输入比较器,带静态和拉下/拉上电阻器

  • 内部 Bootstrap 二极管

  • 优化用于低电磁干扰

  • 欠压锁定

  • 短路坚固的 TFS IGBT

  • 关闭功能

  • 互锁功能

  • 运算放大器,用于高级电流感应

  • 比较器,用于过电流故障保护

  • 绝缘额定值为 1500 V 有效值/分钟。

  • NTC(UL 1434 CA 2 和 4)

  • 高达 ±2 kV ESD 保护(HBM C = 100 pF,R = 1.5 kΩ)

  • UL 认证:UL 1557,文件 E81734

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。