onsemi N沟道IGBT, 6个, Ic 5 A, VCEO 1200 V, 39针, DIP

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制造商零件编号:
NFAM0512L5BT
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

最大连续集电极电流

5 A

最大集电极-发射极电压

1200 V

最大栅极发射极电压

16.5V

晶体管数

6

配置

3 相桥接

封装类型

DIP

通道类型

N

引脚数目

39

on ON Semiconductor NFAM0512L5BT 是−μ m 的集成反相器电源模块,由一个独立的高侧栅极驱动器、 lvic 、六个 i且不 含温度传感器( vts 和 ntc 热敏电阻)组成,适用于驱动永磁同步( pmsm )电机、无刷直流(无刷直流)电机和交流异步电机。

有源逻辑接口
内置−−μ v 欠压保护
集成限幅二极管和电阻器
单独的低−侧栅极晶体管发射器连接、用于每个相位的单独电流感应

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。