Infineon N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 11.9 A, VCEO 11.4 V, 6针, pg － SOT23 － 6 － 3
- RS Stock No.:
- 222-4756
- Mfr. Part No.:
- 1ED44175N01BXTSA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
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- RS Stock No.:
- 222-4756
- Mfr. Part No.:
- 1ED44175N01BXTSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 11.9 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 11.4 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 500 mW | |
| 封装类型 | pg － SOT23 － 6 － 3 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 11.9 A | ||
最大集电极-发射极电压 11.4 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 500 mW | ||
封装类型 pg － SOT23 － 6 － 3 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
用于 Infineon ™ 25 v 单通道低侧非反相栅极驱动器，用于具有 2.6 a 典型源电流和汇电流的™电平的同时，采用微型 6 引线 pg － SOT23 封装。
-0.246 v 过电流阈值、具有精确的 ±5% 容差
过电流检测、带负电压输入
单引脚、用于故障输出和启用
可编程故障清除时间
欠电压闭锁、用于如有需要
CMOS 施密特触发器输入
过电流检测、带负电压输入
单引脚、用于故障输出和启用
可编程故障清除时间
欠电压闭锁、用于如有需要
CMOS 施密特触发器输入