Infineon N沟道IGBT栅极驱动器芯片, 6针, Ic 11.9 A, VCEO 11.4 V, 50 ns, SOT-23, 1ED44175N01B系列

RS 库存编号:: 222-4756
制造商零件编号:: 1ED44175N01BXTSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT栅极驱动器芯片, 6针, Ic 11.9 A, VCEO 11.4 V, 50 ns, SOT-23, 1ED44175N01B系列

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RS 库存编号:: 222-4756
制造商零件编号:: 1ED44175N01BXTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT栅极驱动器芯片
	最大连续集电极电流 Ic	11.9A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	11.4V
	最大功耗 Pd	500mW
	包装类型	SOT-23
	安装类型	表面
	槽架类型	N
	引脚数目	6
	开关速度	50ns
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	150°C
	系列	1ED44175N01B
	标准/认证	JEDEC JESD47/22 and J-STD-020
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT栅极驱动器芯片
	最大连续集电极电流 Ic 11.9A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 11.4V
	最大功耗 Pd 500mW
	包装类型 SOT-23
	安装类型表面
	槽架类型 N
	引脚数目 6
	开关速度 50ns
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 150°C
	系列 1ED44175N01B
	标准/认证 JEDEC JESD47/22 and J-STD-020
	汽车标准否

Datasheet - 1ED44175N01BXTSA1

Infineon 1ED44175N01B 系列 IGBT 栅极驱动器 IC,11.4V 最大集电极发射极电压,11.9A 最大连续集电极电流 - 1ED44175N01BXTSA1

此 IGBT 栅极驱动器 IC 是一款表面安装控制设备,设计用于在电子功率级中驱动 IGBT 晶体管。它提供栅极驱动功能,适用于宽温度范围内的切换应用,适用于需要小封装和快速切换的紧凑型组件。

特性和优点：

• 11.9A 连续集电极电流提供大量驱动能力
• 20 V 栅极发射极保护限制栅极电压偏移
• 11.4 V 集电极-发射极额定值适用于低压晶体管级
• 50ns 切换速度可实现快速转换控制
• 500mW 功耗支持低功耗热预算
• SOT-23 封装可实现紧凑的表面贴装布置

应用

• 适用于低压电机逆变器栅极级
• 用于电源转换模块的快速切换
• 特别适用于空间受限的紧凑型驱动器板
• 可用于高达150°C的热要求较高的组件
• 与需要栅极-发射极保护的功率晶体管配合使用

它能在什么环境温度范围内运行？

它的工作温度范围为 -40°C 至 150°C。

该设备提供多少引脚用于 PCB 路由?

该设备采用 6 针配置,用于电路板布置。

集成时需要哪种安装方式?

它专为表面贴装组装而设计,采用 SOT-23 封装。

该部件是否符合公认的热和湿度标准?

符合 JEDEC JESD47/22 和 J-STD-020 标准。