Infineon N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 900 A, VCEO 1200 V, ag-econod
- RS Stock No.:
- 222-4797
- Mfr. Part No.:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Brand:
- Infineon
Bulk discount available
Subtotal (1 tray of 6 units)*
¥13,801.308
(exc. VAT)
¥15,595.476
(inc. VAT)
暂时缺货
- 在 2027年12月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Tray* |
|---|---|---|
| 6 - 24 | RMB2,300.218 | RMB13,801.31 |
| 30 + | RMB2,231.212 | RMB13,387.27 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 222-4797
- Mfr. Part No.:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 900 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 封装类型 | ag-econod | |
| 配置 | 双 | |
| 通道类型 | N | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 900 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
封装类型 ag-econod | ||
配置 双 | ||
通道类型 N | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
the Infineon ™ 31200 v ， 900 a 双 trenchstop ™ IGBT7 模块，带有发射器控制的 7 个二极管， ntc 和 presfit 触点技术。还提供预应用的热介面材料。
最高功率密度
杰出的 vce sat
tvj op = 175°c 过载
改进的接线端子
优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用
杰出的 vce sat
tvj op = 175°c 过载
改进的接线端子
优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用