Infineon N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 900 A, VCEO 1200 V, ag-econod
- RS 库存编号:
- 222-4797
- 制造商零件编号:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 222-4797
- 制造商零件编号:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 900 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 封装类型 | ag-econod | |
| 配置 | 双 | |
| 通道类型 | N | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 900 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
封装类型 ag-econod | ||
配置 双 | ||
通道类型 N | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
the Infineon ™ 31200 v ， 900 a 双 trenchstop ™ IGBT7 模块，带有发射器控制的 7 个二极管， ntc 和 presfit 触点技术。还提供预应用的热介面材料。
最高功率密度
杰出的 vce sat
tvj op = 175°c 过载
改进的接线端子
优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用
杰出的 vce sat
tvj op = 175°c 过载
改进的接线端子
优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用