Infineon N型沟道, FF900R12ME7B11BOSA1 IGBT, 2个, Ic 900 A, VCEO 1200 V, 11引脚, AG-ECONOD, 表面安装

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包装方式:
RS 库存编号:
222-4798
制造商零件编号:
FF900R12ME7B11BOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

900A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

2

最大功耗 Pd

20mW

包装类型

AG-ECONOD

安装类型

表面

槽架类型

N型

引脚数目

11

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.8V

最高工作温度

175°C

系列

FF900R12ME7_B11

高度

20.5mm

长度

152mm

标准/认证

No

汽车标准

the Infineon ™ 31200 v , 900 a 双 trenchstop ™ IGBT7 模块,带有发射器控制的 7 个二极管, ntc 和 presfit 触点技术。还提供预应用的热介面材料。

最高功率密度

杰出的 vce sat

tvj op = 175°c 过载

改进的接线端子

优化的爬电距离、用于 1500 v pv 应用