Infineon N沟道IGBT共发射极晶体管, Ic 50 A, VCEO 1200 V, ag- EASY2B
- RS 库存编号:
- 222-4801
- 制造商零件编号:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 222-4801
- 制造商零件编号:
- FP50R12W2T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 20 毫瓦 | |
| 封装类型 | ag- EASY2B | |
| 通道类型 | N | |
| 晶体管配置 | 共发射极 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 20 毫瓦 | ||
封装类型 ag- EASY2B | ||
通道类型 N | ||
晶体管配置 共发射极 | ||
the Infineon ™ 2B 1200 v ， 50 a 三相输入整流器 pim （电源集成模块）的™™™™™™™™集成电路，带有 trenchtop ™ IGBT7 ，发射器控制的 7 二极管， ntc 和 presfit 触点技术。
低 VCEsat
trenchstop ™ IGBT7
过载操作温度高达 175°c
2.5 kv 交流 1min 绝缘
Al2O3 基片、具有低热阻
高功率密度
紧凑设计
presfit 触点技术
trenchstop ™ IGBT7
过载操作温度高达 175°c
2.5 kv 交流 1min 绝缘
Al2O3 基片、具有低热阻
高功率密度
紧凑设计
presfit 触点技术