ROHM N型沟道 IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- RS 库存编号:
- 223-6328
- 制造商零件编号:
- RGS80TSX2GC11
- 制造商:
- ROHM
暂时无法供应
抱歉，我们不知道何时会有货
- RS 库存编号:
- 223-6328
- 制造商零件编号:
- RGS80TSX2GC11
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 80A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 555W | |
| 包装类型 | TO-247N | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 开关速度 | 1MHz | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.1V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | RGS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 80A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 555W | ||
包装类型 TO-247N | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
开关速度 1MHz | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.1V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 RGS | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 场截止沟道 IGBT 主要用于 PFC ， UPS ， IH 和电源调节器。功耗为 555 Watts。
低集电极 - 发射极饱和电压
短路耐受时间 10μs μ s
符合 RoHS
相关链接
- ROHM N型沟道, RGS80TSX2GC11 IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS30TSX2GC11 IGBT, Ic 30 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS50TSX2GC11 IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道 IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS80TSX2DGC11 IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS30TSX2DHRC11 IGBT, Ic 30 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS30TSX2DGC11 IGBT, Ic 30 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz
- ROHM N型沟道, RGS30TSX2HRC11 IGBT, Ic 30 A, VCEO 1200 V, 3引脚, TO-247N, 通孔安装, 1 MHz