Infineon N型沟道 反向导电 IGBT, Ic 65 A, VCEO 650 V, 3引脚, TO-247, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 225-0572P
- 制造商零件编号:
- IHW30N65R6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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- RS 库存编号:
- 225-0572P
- 制造商零件编号:
- IHW30N65R6XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 65A | |
| 产品类型 | 反向导电 IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 160W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | IHW30N65R6 | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 长度 | 41.9mm | |
| 宽度 | 16.3 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 65A | ||
产品类型 反向导电 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 160W | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 IHW30N65R6 | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
高度 5.3mm | ||
长度 41.9mm | ||
宽度 16.3 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IHW30N65R6 是 650 V ， 30 A IGBT ，带单自由集成二极管，采用 TO-247 封装，带单自由集成二极管，设计用于使用半桥谐振拓扑满足感应加热应用的严苛要求。
坚固耐用，温度行为稳定
低 EMI
无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
强大的单片反向导电二极管，具有低正向电压